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據(jù)美國《技術(shù)評論》雜志12月6日（北京時間）報道，IBM公司在華盛頓舉行的國際電子設(shè)備大會上展示了首塊集成式賽道存儲器樣本。這款革命性的計算機存儲新設(shè)備兼具傳統(tǒng)硬盤的大容量和閃存的快速運算以及持久耐用等特點。IBM表示，賽道存儲器在存儲密度和制造成本方面有望超越閃存。
IBM于2008年首次提出了“賽道”計算機存儲器的構(gòu)想并表示，賽道存儲器將于10年后全面取代硬盤。集成式賽道存儲器中負責閱讀、存儲和寫數(shù)據(jù)的組件集成于一塊芯片上，而此前展示的賽道存儲器的各個組件則分處于不同的地方。
賽道存儲器將信息存儲于鎳鐵合金納米金屬線上，通過控制納米線不同部分的磁向得到的磁道表示數(shù)字0和1。納米線約10微米長、150納米寬、20納米厚，每條納米線的一端同電路相連，其產(chǎn)生的電子脈沖采用精確控制的電子自旋將數(shù)據(jù)寫入納米線內(nèi)作為磁道。納米線的另一端上方則有其他層，讓磁道沿著納米線移動。越過該層時，一個設(shè)備可以通過探測磁道間的邊界閱讀出數(shù)據(jù)。
新樣本由IBM位于紐約約克城的實驗室使用互補金屬氧化物半導體（CMOS）制造技術(shù)完成，目前科學界普遍使用該技術(shù)來制造處理器和各種半導體器件。首次提出賽道存儲器概念并領(lǐng)導該項目的斯圖爾特·帕金表示，這表明，可以對賽道存儲器進行商業(yè)化生產(chǎn)，不過還需要對其進行精簡和改進。
這項技術(shù)的前景很大程度上取決于單條納米線能使用很多磁道非常密集地存儲數(shù)據(jù)。帕金表示，他們目前正在研究如何將盡可能多的磁道放入一條納米線中，實驗結(jié)果表明，由不同材料制成的納米線表現(xiàn)得更好。
該樣本使用的鎳鐵合金是所謂的軟磁材料——很容易被外部磁場磁化和去磁化。帕金團隊正使用硬磁材料進行試驗，硬磁材料不易去磁化，且更小更堅硬，能更容易將很多磁道放入一條納米線中。（記者劉霞）